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    PCBA老化及PCBA老化房系統介紹

    老化是一種試驗,用來篩選或排除少量因制造失常而導致固有缺陷或缺陷的設備,而這些缺陷會引發和時間和應力相關的故障。


    為什么要老化

     
    我們選用可靠性專家經常使用一個圖像來描述產品的壽命,這個圖像被稱作浴盆曲線

     

    浴盆曲線由三個階段組成:故障率減小的早期故障階段,接下來為正常壽命階段(也叫做有效壽命),故障率較低且相對穩定,zui后為磨損階段,故障率是增加的。

     

    很多類型的設備和系統在早期壽命中展示出固有的減少的故障率特性。相對較高的早期故障率通常歸因于生產過程中的固有不確定性。很長時間以來,老化已經被認為是在交貨前檢測和消除部件或系統早期故障的一種有效方法。沒有老化,缺陷部件可能就被交付到了用戶手中,導致昂貴的現場維修和名譽上的損害。

     

    對一電子部件進行老化試驗。在初始的試驗中,累積的故障百分比如下:

     
    1、第1天有6%故障
     
    2、第2天有10.1%故障

    3、第3天有12%故障

    4、第4天有13.8%故障

    5、第5天有14.5%故障

    6、第6天有15%故障

    7、第7天有15.1%故障

      
    老化就是藉由讓半導體進行超負荷工作而使缺陷在短時間內出現,避免在使用早期發生故障。如果不藉由老化,很多半導體成品由于器件和制造制程復雜性等原因在使用中會產生很多問題。
    注意,老化并非是產品改進技術。對一些產品進行老化不能改善每個單元單獨的可靠性。然而,老化通過清除劣質的部分來提高了整體的可靠性,使得單元總體更加可靠和均勻。老化同樣還會提供
    造成早期故障的不同故障機理的重要信息,為監控制造過程的質量工程師和幫助分析導致早期故障機理出現的變化提供有價值的反饋。

     


    尚測生產的各種老化房符合標準:

    1.GB/T 2423.2—2008《電工電子產品環境試驗 第2部分:試驗方法 試驗B:高溫》;

     

    2、MIL-STD-883D、MIL-M-38510、GJB548、GJB597等試驗標準。


     

    適用范圍:適用于各種封裝形式的模擬、大、中、小規模數字、數模混合集成電路,包括可編程器件、微處理器、邏輯電路、存儲器、A/D、D/A等器件的工作壽命試驗和高溫動態老化篩選。


    一、集成電路高溫老化系統技術特點:

    ① 、 一板一區,可滿足16種不同試驗參數的器件同時老化。

    ②  、 完善的、種類齊全的老化器件數據庫可供用戶調用。

    ③ 、強大的圖形發生系統,64路數字和2路模擬可編程信號。


    二、PCBA老化房技術性能:


    2.1、PCBA老化房試驗區域
     
    16個 (一板一區):8個 (一板一區)
     

    2.2、試驗容量
     
    200×16=320位(以DIP14為例):136×8=1088位(以DIP14為例)  
     

    2.2.1、一級電源
     
    8∽16臺25V/40A或40V/2等規格可選;4∽8臺25V/40A或40V/2等規格可選
     

    2.2.2、二級電源
     
    ◆、每路二級電源具有過壓、欠壓、過流、短路和過熱等保護功能。

    ◆、每個通道提供獨立程控的VCC、VMUX、VCLK、VEE四路二級電源。

    ◆、電源監測:實時監測記錄二級電源的電壓,并可生成圖形曲線,便于試驗監控。

    ◆、輸出能力:±1.00V~±18.00V/10A。
     

    2.2..3、數字信號

    ◆每個通道:64路數字信號。

    ◆編程能力:編程深度256Kbit;zui小編程步長:100ns;編程分辨率:100ns;zui高信號頻率:5MHz。

    ◆尋址能力:可尋址64Gbit(老化ROM/SRAM等) A00~A35, 可尋址行列地址刷新器件64Gbit(老化DRAM/SDRAM等)AXX~A17,AYY:A00~A17。

    ◆驅動能力:IOL≥300mA、IOH≥100mA、Tr≤50ns、Tf≤50ns。

    ◆信號特性:每路均具有數據、地址、控制、三態屬性編輯功能。
     

    2.2..4、集成電路高溫老化系統模擬信號
     
    ◆、模擬信號數:2路

    ◆、波形類型:三角波、正弦波、前沿鋸齒波、后沿鋸齒波、矩形波。

    ◆、模擬信號指標: 信號可編程頻率:1Hz~32KHz; 程控幅度范圍Vpp:0~±10V;

         直流偏移量范圍Vdc:0~1/2 Vpp;編程步長: 0.01V;驅動能力:≥1.0A;

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